半導(dǎo)體清洗材料作為晶圓制造過程中不可或缺的工藝用化學(xué)品，需滿足很高純度與穩(wěn)定性要求。多個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與內(nèi)部規(guī)范共同構(gòu)成其質(zhì)量評價體系。

基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)為化學(xué)純度標(biāo)準(zhǔn)。常用單位為“九數(shù)”表示法，例如99.999%表示五個九純度。多數(shù)清洗材料需達(dá)到電子級甚至高純度級別。雜質(zhì)離子控制在ppb甚至ppt級別。

顆粒物標(biāo)準(zhǔn)是另一核心指標(biāo)。清洗劑中不允許存在大顆粒雜質(zhì)，防止造成晶圓表面劃傷或金屬污染。以ISO 14644-1為基礎(chǔ)，細(xì)化至化學(xué)品潔凈度控制要求，部分廠家執(zhí)行自建標(biāo)準(zhǔn)，顆?？刂屏竭_(dá)50nm以下。

金屬離子污染標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。金屬雜質(zhì)可能引發(fā)電性能異常或器件漏電。典型控制元素包括Fe、Na、K、Ca、Cu、Zn等，需通過ICP-MS、GF-AAS等手段檢測。

有機雜質(zhì)控制標(biāo)準(zhǔn)也不可忽視。常規(guī)檢測項目包括總有機碳（TOC）、揮發(fā)性有機物（VOC）等，控制值依據(jù)材料類型與工藝段不同而調(diào)整。

標(biāo)準(zhǔn)需涵蓋物理性能參數(shù)。包括密度、表面張力、pH值、電導(dǎo)率、折射率等。這些參數(shù)影響化學(xué)反應(yīng)速率與材料殘留情況。

熱穩(wěn)定性與分解溫度亦為關(guān)鍵參數(shù)。確保材料在使用溫度范圍內(nèi)不分解、不揮發(fā)、不產(chǎn)生副反應(yīng)。

與濕法設(shè)備的兼容性也是一項要求。包括泵送性、管路材料適配性、與光刻膠剝離劑或蝕刻液的協(xié)同兼容性。

危險性分級依據(jù)GHS標(biāo)準(zhǔn)，需提供SDS文件，明確材料毒性、腐蝕性、反應(yīng)性、燃點等安穩(wěn)信息。

半導(dǎo)體行業(yè)常見標(biāo)準(zhǔn)體系包括SEMI（國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會）制定的SEMI C3（用于化學(xué)試劑）、SEMI C93（雜質(zhì)測試方法）等。ISO、ASTM標(biāo)準(zhǔn)中亦有部分參考標(biāo)準(zhǔn)。

部分晶圓廠設(shè)定企業(yè)內(nèi)部清洗劑選型標(biāo)準(zhǔn)，遠(yuǎn)高于行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)。內(nèi)容涵蓋供貨批次一致性、儲運穩(wěn)定性、包裝潔凈度等要求。